1. 什么是DRAM?皇冠现金体育官网app官网

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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态立地存取存储器。

2. DRAM结构及特色

1. 动态存储，DRAM 需要不断地刷新身手保抓数据，因为它是哄骗电容存储电荷的旨趣来保存数据，而电容会跟着本领冉冉放电，是以需要依期刷新以补充电荷，保管数据的厚实。

2. 立地存取，不错立地地对存储单位进行读写操作，而不需要像限定存储器那样按照特定的限定进行探问。

DRAM 1T1C 的电路结构（存储0/1的最小单位）主要由一个晶体管（MOSFET）和一个电容器（Capacitance）构成。当电容器充电时，暗示存储的数据为 “1”；当电容器放电时，暗示存储的数据为 “0”。

晶体管的栅极贯穿字线（Word Line，WL），源极和漏极中的一端贯穿位线（Bit Line，BL），另一端贯穿电容器 。电容器的一端贯穿晶体管的源极或漏极，另一端接地或贯穿到一个固定的电压参考点。

字线：字线是用于选拔存储单位行的截至线。当字线被激活时，对应的行中的整个晶体管的栅极皆会受到电压信号的作用，从而使这些晶体管导通，允许位线与电容器之间进行数据传输。

位线：位线是用于传输数据的分解，它与每列存储单位中的晶体管的源极或漏极连系。在读写操作时，数据通过位线传输到存储单位或从存储单位中读出。

3. DRAM的责任旨趣

1. 写入：将0或1写入电容器

2. 读出：读出写入电容器的数据

3. 刷新：读出存储单位中的数据，独立行将其从头写入该存储单位，以补充电容器中亏蚀的电荷。

字线、位线高的景色称之为High(H)，低的景色称之为Low(L).

DRAM写入责任旨趣

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在晶体管导通景色下革新位线电压，通过对电容器进行充放电来进行写入。

DRAM读取责任旨趣

字线被激活，存储单位中的晶体管导通，说明要写入的数据，在位线上施加相应的电压。若是要写入 “1”，则位线为高电压(H)，使电容器充电；若是要写入 “0”，则位线为低电压(L)，使电容器放电。

通过掀开晶体管并检测位线电位变化，读取存储器单位的0,1。

字线被激活，存储单位中的晶体管导通，电容器与位线贯穿。若是电容器中存储的是 “1”，即有电荷存在，那么电容器会向位线放电，使位线的电压升高；若是电容器中存储的是 “0”皇冠现金体育官网app官网，即莫得电荷存在，那么位线的电压基本保抓不变。贯穿到位线上的机灵放大器检测位线的电压变化，并将其放大为可识别的逻辑电平，从而读出存储单位中的数据。